銅互連圖形的解決方法

去年某材料公司，推出全新的Applied Endura® CirrusTM HTX物理氣相沉積(PVD)*系統(tǒng)，采用突破性硬掩模技術(shù)，可支持10納米及更小的銅互連圖形生成。芯片尺寸的不斷縮小需要更先進(jìn)的硬掩模技術(shù)，從而保證緊湊、微型互連結(jié)構(gòu)的完整性。隨著這一全新技術(shù)的推出，公司成功延續(xù)氮化鈦（TiN*，半導(dǎo)體行業(yè)的首選硬掩膜材料）金屬硬掩模，滿足未來先進(jìn)微芯片銅互連圖形生成的需求。

解決先進(jìn)互連圖形生成的挑戰(zhàn)是金屬硬掩模精密工程領(lǐng)域的關(guān)鍵。

當(dāng)今的先進(jìn)微芯片技術(shù)能夠?qū)?0千米長的銅線裝入100平方毫米的狹小空間內(nèi)，將其堆疊成10層，在層與層之間有多達(dá)100億個(gè)通孔或垂直互連。金屬硬掩模的作用是保持這些軟ULK *電介質(zhì)中的銅線和通孔的圖形完整性。然而，隨著芯片尺寸的不斷縮小，傳統(tǒng)TiN硬掩膜層的壓縮應(yīng)力可能會(huì)導(dǎo)致ULK薄膜中的狹窄銅線圖案變形或倒塌。以Cirrus HTX沉積的TiN硬掩膜則提供了獨(dú)特的應(yīng)力調(diào)節(jié)功能，這一特殊性能加上良好蝕刻選擇性，實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的的關(guān)鍵尺寸(CD) *線寬控制及通孔對(duì)準(zhǔn)，從而提高產(chǎn)品良率。

TiN硬掩模技術(shù)的突破主要?dú)w功于硅片生產(chǎn)中的精密材料工程，使其制造出高密度、低應(yīng)力的薄膜。在久經(jīng)市場考驗(yàn)的Endura平臺(tái)上，結(jié)合了兼具膜厚度均勻性和低缺陷率，Cirrus HTX系統(tǒng)能夠滿足多互聯(lián)層圖形生成的大規(guī)模量產(chǎn)需求帶來的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。