隨著半導(dǎo)體技術(shù)的迅猛發(fā)展，對材料純度、結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性以及製備工藝的要求日益提高。鎢坩堝因其優(yōu)異的物理化學性能，在半導(dǎo)體材料製備中佔據(jù)著極其重要的位置，尤其是在高溫晶體生長、熔煉、氣相沉積等關(guān)鍵工藝中得到了廣泛應(yīng)用。
鎢是一種具有超高熔點的金屬，其熔點高達3410°C，在所有金屬中僅次於鉭和錸。這使得W坩堝可以在極高溫度下保持穩(wěn)定結(jié)構(gòu)和不變形特性，非常適用於半導(dǎo)體材料如單晶矽、氮化鎵（GaN）、碳化矽（SiC）等高熔點材料的製備過程。例如，在氮化鎵的物理氣相沉積（PVD）或碳化矽的高溫昇華生長中，常需在2000°C以上進行長時間處理，此時只有如鎢這類耐高溫金屬才能勝任容器材料的角色。
鎢制坩堝的另一關(guān)鍵優(yōu)勢是其優(yōu)異的化學穩(wěn)定性。在還原性或中性氣氛（如氫氣、氬氣）中，鎢即使處於高溫環(huán)境中也不會輕易與其他元素反應(yīng)，能夠有效避免反應(yīng)產(chǎn)物污染半導(dǎo)體原材料，保持材料的高純度。在半導(dǎo)體行業(yè)，任何雜質(zhì)都可能影響器件的電子性能，因此，它的低反應(yīng)活性和極低的蒸氣壓是保障產(chǎn)品品質(zhì)的關(guān)鍵。
W坩堝常用于單晶矽的區(qū)熔（zone melting）或再結(jié)晶處理。在區(qū)熔過程中，通過電磁加熱使矽棒局部熔化並緩慢移動熔區(qū)，逐步淨化雜質(zhì)。其可作為輔助容器，保持結(jié)構(gòu)不變，並防止雜質(zhì)擴散。此外，在某些特殊合金化半導(dǎo)體（如Si-Ge合金、GaAs等）的製備中，也會使用W坩堝以應(yīng)對高溫熔煉和高活性成分的挑戰(zhàn)。
在藍寶石（Al?O?）單晶的Czochralski拉晶法（CZ法）中，雖然通常使用鉬坩堝，但當溫度更高或氣氛要求更苛刻時，也會改用W坩堝作為替代材料。特別是在先進功率電子器件和第三代半導(dǎo)體製造領(lǐng)域中，鎢坩堝為高溫長時間操作提供了可靠保障。
W坩堝的使用還伴隨著其高密度、良好的機械強度和熱導(dǎo)率，使其能承受反復(fù)的熱應(yīng)力與機械加工。儘管鎢材料本身較為堅硬，加工難度較大，但隨著精密製造技術(shù)的發(fā)展，鎢坩堝的品質(zhì)和尺寸控制能力日趨完善，能夠滿足半導(dǎo)體工業(yè)的嚴苛標準。
需要注意的是，鎢在氧化性氣氛中易於氧化生成氧化鎢（WO?），尤其在超過400°C的空氣中。因此在使用過程中必須配合真空系統(tǒng)或惰性氣體保護，防止鎢的表面氧化導(dǎo)致結(jié)構(gòu)脆裂或性能下降。此外，W坩堝本身價格較高，其迴圈使用及維護方式也成為成本控制的重要一環(huán)。
