化學氣相沉積法制備氧化鎢薄膜

在眾多的薄膜材料中，三氧化鎢（WO3）薄膜因具有多種特性如電致變色、氣致變色、光致變色及良好的電化學性能等，在光、氣、電等領(lǐng)域得到了廣泛應用。化學氣相沉積法是一種比較新的三氧化鎢薄膜制備方式，其制備機理如下：

化學氣相沉積(CVD)是利用氣體原料在氣相中通過化學反應使生成的固相物質(zhì)沉積形成薄膜、顆粒和晶須等固體材料的工藝過程�；瘜W氣相沉積技術(shù)有多種，如快熱CVD、等離子體增強CVD、低壓CVD等。CVD也是制備WO3薄膜的一種常用方法。Maruyama等用W(CO)6作為原料，加熱到60~100℃，產(chǎn)生蒸氣，再用載氣N2將產(chǎn)生的蒸氣以300cm3/min的流速載入，W(CO)6在反應室中分解，可使WO3沉積到基底上。后來Maruyama又對化學氣相沉積進行了改進，在沉積過程中加入低壓汞燈，既增加WO3的沉積率也提高薄膜的質(zhì)量。

化學氣相沉積法具有多功能、工藝可控、過程連續(xù)且產(chǎn)品純度高等特點，但成本高，制備規(guī)模難以擴大，不適合薄膜的工業(yè)化生產(chǎn)制備，因此目前該方法還沒有得到廣泛的應用。