愛思強推出5x200mm硅基氮化鎵生長設備AIX G5+
7月24 日，愛思強股份有限公司推出最新產品AIX G5+，為其AIX G5行星式反應器平臺提供5x200 mm硅基氮化鎵生長專用設備�；谝钥蛻魹橹行牡陌l(fā)展計劃，愛思強的研發(fā)實驗室開發(fā)了此技術并設計并制造了此產品，包括特別設計的反應器硬件和工藝。該產品現已作為AIX G5系列的一部分推出，因此所有現有的G5系統(tǒng)均可升級至這一新設備。
愛思強表示硅基氮化鎵技術是很多新興功率電子器件市場領域的首選技術，同時在未來低成本高性能的高亮度LED產品制造方面擁有良好的前景。芯片尺寸以及材料對于制造工藝的成本效益至關重要，因此過渡到200 mm的標準硅芯片，將以其獨特的成本優(yōu)勢成為未來發(fā)展的合理趨勢。
愛思強表示經過了反復的數值模擬，從而設計出能夠與現有的AIX G5反應器平臺兼容，而且足以勝任5x200 mm工藝的獨特工藝性能的新基本部件。而最終實現的極其穩(wěn)定的工藝流程提供了較其他任何MOCVD平臺更為均勻的材料特性以及更高的設備良率，同時也擁有 5x200 mm的芯片生產能力。
愛思強的很多客戶特別指出，所有5x200 mm芯片具有完全旋轉對稱的均勻形狀、標準厚度的硅基襯底以及嚴格可控的芯片彎曲度，均完全符合他們所需的硅質生產需要。
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